中国存储芯片新锐长鑫存储（CXMT）在 DDR5 内存芯片领域取得重要进展。据国内媒体最新报道，长鑫存储采用 17 纳米级制造工艺打造的 DDR5 内存芯片，产出良品率已成功达到 90%。这一关键突破将大幅提升其规模化量产与出货能力，进一步缩小与美光等全球行业巨头的差距。
随着本土市场对存储芯片的需求持续高涨，加之全球供应链紧张背景下公司对其芯片的关注，长鑫存储正成为业内关注的焦点。不过在技术路径上，美光等国际巨头主要依赖极紫外（EUV）光刻机在更先进的 10 纳米级（如 1-gamma）节点上生产 DDR5 芯片，而长鑫存储受限于美国的相关制裁，在采用最前沿光刻设备方面依然面临一定限制。
报道指出，已有多家主流 PC 厂商开始在旗下产品中采用长鑫存储的内存芯片。其中，宏碁（Acer）与华硕（ASUS）表现最为积极，两家公司主要在面向中国大陆及其他新兴市场的机型中搭载长鑫存储的产品。相比之下，美国 PC 巨头采取了更为谨慎或有限的策略：戴尔（Dell）已全面禁止在其产品线中使用长鑫存储的芯片；（HP）则仅在专供中国大陆市场的限定产品中使用，这一做法也与苹果公司此前的策略如出一辙。
此外，业内知情人士补充透露，虽然宏碁与华硕已开启合作，但目前的采购和使用规模仍较为有限。这主要是由于终端厂商对 SK 海力士、美光以及三星电子这全球三大传统存储巨头的潜在市场反应抱有顾虑。总体来看，长鑫存储虽已展现出作为全球存储市场有力竞争者的高速成长姿态，但要实现与三大巨头平起平坐的大规模出货能力，仍需克服技术与供应链上的诸多挑战。
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